催化化學(xué)氣相沉積(Cat-CVD)又名熱絲化學(xué)氣相沉積,可以在襯底溫度低于300℃條件下獲得器件級的高質(zhì)量薄膜。本書(shū)系統介紹了Cat-CVD技術(shù),包括其基本原理、設備設計及應用。具體包括Cat-CVD的物理基礎及其與等離子增強化學(xué)氣相沉積的區別、Cat-CVD 中化學(xué)反應的分析方法及基本原理、Cat-CVD 的物理化學(xué)基礎、Cat-CVD制備的無(wú)機薄膜性能、引發(fā)化學(xué)氣相沉積(iCVD)...
譯者前言 熱絲化學(xué)氣相沉積技術(shù)【hot filament (或者wire)chemical vapor deposition,簡(jiǎn)稱(chēng)HoFCVD 或 HWCVD】,又名催化化學(xué)氣相沉積技術(shù)(catalytic chemical vapor deposition),或者引發(fā)化學(xué)氣相沉積技術(shù)(initiated chemical vapor deposition,iCVD)。因其用于不同領(lǐng)域時(shí)是否必然存在“催化”機理尚有不確定性,所以筆者認為采用“熱絲化學(xué)氣相沉積技術(shù)(HoFCVD)”這一共性名稱(chēng)更為合適,更適用于其在不同領(lǐng)域中的應用。 HoFCVD作為一種真空鍍膜技術(shù),從發(fā)明至今已經(jīng)超過(guò)50年,全社會(huì )對其機理的認識和特性的了解也逐年加深。從強調機械性能和強度的特種加工刀具表面金剛石膜層的制備,到有鮮明半導體特征的硅基薄膜、氮化硅/氮化硼薄膜的沉積,甚至是低溫高致密度PTFE高分子膜的制備等,HoFCVD的應用范圍越來(lái)越廣,適用的材料體系越來(lái)越多,且制得的膜層性能優(yōu)異。HoFCVD 已逐步應用于半導體、光伏、機械等越來(lái)越多的領(lǐng)域。在設備制造領(lǐng)域,也涌現出日本愛(ài)發(fā)科株式會(huì )社(ULVAC)、江西漢可泛半導體技術(shù)有限公司等專(zhuān)業(yè)公司,設備種類(lèi)日益豐富,體量也邁入大型半導體裝備范圍(江西漢可用于光伏的熱絲HoFCVD設備長(cháng)度超過(guò)100m),設備精度自動(dòng)化程度已經(jīng)可以比肩其他同類(lèi)型產(chǎn)品,甚至部分超越。 一本好書(shū)對知識的傳承和技術(shù)的發(fā)展具有重要意義。由日本北陸先端科學(xué)技術(shù)大學(xué)院大學(xué)(JAIST)Hideki Matsumura 教授等撰寫(xiě)、Wiley-VCH 出版的Catalytic Chemical Vapor Deposition:Technology and Applications of Cat-CVD 一書(shū),系統介紹了HoFCVD技術(shù)相關(guān)的理論基礎、產(chǎn)品應用,甚至設備設計等。理論詮釋深入淺出,應用介紹全面系統,是一本高水平的專(zhuān)著(zhù),既適合科研院所的研究員閱讀使用,又可供企業(yè)的工程師參考學(xué)習。筆者閱讀后認為十分有必要翻譯成中文,以便于該技術(shù)的普及和應用,助力我國新材料、高端裝備技術(shù)的研究開(kāi)發(fā)。南京航空航天大學(xué)的沈鴻烈教授、德國于利希研究中心的Kaining Ding教授和徐彬彬博士、國晟世安科技股份有限公司的張忠衛博士和張聞斌博士、中國科學(xué)院上海微系統與信息技術(shù)研究所的劉正新教授和吳天如副研究員以及張麗平博士、營(yíng)口金辰機械股份有限公司的陶科博士、常熟理工學(xué)院的張磊副教授等多位專(zhuān)家也欣然應邀,攜團隊為本書(shū)的翻譯、稿件的校對等貢獻了重要力量。在此對所有專(zhuān)家和參與人員表示感謝! 也要感謝江西漢可泛半導體技術(shù)有限公司的我的多位同事! 感謝大家為HoFCVD技術(shù)的發(fā)展做出的貢獻! 希望本書(shū)的翻譯出版,能夠為中國HoFCVD技術(shù)的發(fā)展,為中國真空裝備和鍍膜技術(shù)的發(fā)展貢獻一份力量。 黃海賓 教授/董事長(cháng) 江西漢可泛半導體技術(shù)有限公司 2024 年5 月2 日 前言 化學(xué)氣相沉積(CVD)技術(shù)是現代半導體工業(yè)的關(guān)鍵技術(shù)之一。在諸多CVD系統中,使用加熱的金屬絲分解反應氣體是一種新穎且獨特的方法,可以在襯底溫度低于300℃下獲得器件級的高質(zhì)量薄膜。該方法有不同名稱(chēng)。例如,Hideki Matsumura和他的同事從1985年開(kāi)始使用“催化化學(xué)氣相沉積”(Cat-CVD)這一名稱(chēng),已經(jīng)使用了超過(guò)30年。這可能是這種CVD 的第一次命名。但是,其他研究團隊喜歡使用“熱絲CVD”(hot-wire CVD或hot filament CVD)這一術(shù)語(yǔ)。最近,通過(guò)加熱的熱絲合成有機薄膜的CVD 研究中,研究人員提出了一個(gè)新的概念—— “引發(fā)化學(xué)氣相沉積(iCVD)”。 本書(shū)的主要作者Hideki Matsumura,一直習慣使用催化化學(xué)氣相沉積(Cat-CVD)這一名稱(chēng)。而且,人們普遍認為,催化裂解是該方法中分子分解的主要機制。盡管iCVD在其沉積機制中涉及一些其他概念,本書(shū)仍使用“Cat-CVD”作為其名稱(chēng),而不是使用熱絲CVD。 在Cat-CVD中,源氣體分子在加熱的催化熱絲表面發(fā)生催化裂解,分解后的基團被輸送到真空腔室中襯底的表面,形成薄膜。雖然許多公司尚未公開(kāi)透露他們的制備方法,但Cat-CVD已經(jīng)在工業(yè)上應用,且使用該技術(shù)生產(chǎn)的一些消費產(chǎn)品已經(jīng)在市面上出售。 人 們使用Cat-CVD技術(shù)已成功制備了許多種器件。因此,在未來(lái)進(jìn)一步應用方面,Cat-CVD引起了越來(lái)越多的關(guān)注。由于利用Cat-CVD 在研究上取得了很大的進(jìn)展,且作者已在該領(lǐng)域深耕多年(如上所述),作者一直被追問(wèn)是否可能有一本書(shū)系統介紹該技術(shù)。因此,作者考慮出版一本關(guān)于Cat-CVD及其相關(guān)技術(shù)的綜合性書(shū)籍。據作者所知,這可能是第一本對Cat-CVD或熱絲CVD及相關(guān)技術(shù)進(jìn)行全面、系統總結的書(shū)。 為更好地理解Cat-CVD技術(shù),本書(shū)從講解真空腔室中的物理基礎開(kāi)始。然后,通過(guò)與其他薄膜技術(shù)相比較,如等離子增強化學(xué)氣相沉積(PECVD),闡述Cat-CVD 的特征。本書(shū)涉及的Cat-CVD 及其相關(guān)技術(shù)的范圍較廣泛,從基礎到應用,還包括了Cat-CVD設備的設計。另外,本書(shū)還介紹了一些Cat-CVD 相關(guān)的實(shí)驗分析技術(shù)。例如,簡(jiǎn)要介紹了激光誘導熒光效應、深紫外光吸收和其他一些可以用來(lái)分析Cat-CVD過(guò)程中分解出的基團的技術(shù)。解釋了一些薄膜材料的基本物理性質(zhì),以幫助讀者理解Cat-CVD制備薄膜的質(zhì)量。例如,簡(jiǎn)要介紹了非晶硅(a-Si)等非晶材料的物理性質(zhì)。但是,詳細的技術(shù)和與之相關(guān)的深層物理學(xué)解釋不在本書(shū)范圍。如果讀者想了解更多的相關(guān)內容,請參考其他書(shū)籍或參考文獻。本書(shū)中作者主要介紹Cat-CVD及相關(guān)技術(shù)的總體情況和基本概念,但不包括某個(gè)單獨部分的詳細細節。 本書(shū)也是在日本靜岡大學(xué)Hironobu Umemoto教授的幫助下撰寫(xiě)完成。Hironobu Umemoto教授精通化學(xué)分析,闡明了許多Cat-CVD技術(shù)相關(guān)的化學(xué)現象。他通過(guò)許多案例證實(shí)了熱絲催化下氣體裂解的分解機制。本書(shū)中他主要撰寫(xiě)了第3章和第4章,闡述了氣相基團的檢測和氣體分子的分解機制。此外,他還協(xié)助整體檢查了本書(shū)中相關(guān)描述的準確性。第6章主要由美國麻省理工學(xué)院的Karen K.Gleason教授撰寫(xiě),主要介紹了iCVD合成聚合物的相關(guān)內容。Karen K.Gleason教授是使用Cat-CVD合成聚合物的先驅者,也是iCVD的發(fā)明者。第8章Cat-CVD 的器件應用和相關(guān)技術(shù)的撰寫(xiě)得到了原荷蘭烏得勒支大學(xué)教授、現南非西開(kāi)普省大學(xué)特聘教授Ruud E.I.Schropp教授的幫助,他是器件物理學(xué)專(zhuān)家,為闡明Cat-CVD各種應用的可行性做出了很大貢獻,盡管他在發(fā)表的論文中使用的是“熱絲CVD (hot-wire CVD)”而不是Cat-CVD。他也整體檢查了書(shū)中相關(guān)描述的準確性。本書(shū)是以上專(zhuān)家共同完成的,他們在各自領(lǐng)域內都有突出的成果。 本書(shū)旨在為開(kāi)展或計劃開(kāi)展Cat-CVD、熱絲CVD 和iCVD 及其相關(guān)研究的人員、工程師和學(xué)生提供幫助。歡迎讀者對本書(shū)提出批評或指正。 Hideki Matsumura 日本北陸先端科學(xué)技術(shù)大學(xué)院大學(xué)材料科學(xué)學(xué)院榮譽(yù)教授 2018 年12 月
松村英樹(shù)(Hideki Matsumura),博士,日本北陸先端科學(xué)技術(shù)大學(xué)院大學(xué)(JAIST)材料科學(xué)學(xué)院榮譽(yù)教授。 梅本弘宣(Hironobu Umemoto),博士,日本靜岡大學(xué)工程學(xué)院化學(xué)與生物工程專(zhuān)業(yè)教授。 卡倫·格利森(Karen K.Gleason),博士,美國麻省理工學(xué)院Alexander和I. Michael Kasser化學(xué)工程教授,副教務(wù)長(cháng)。 呂德·施羅普(Ruud E.I.Schropp),博士,荷蘭埃因霍芬理工大學(xué)Solliance太陽(yáng)能研究所高級研究員。 黃海賓,江西漢可泛半導體技術(shù)有限公司董事長(cháng),國內知名異質(zhì)結太陽(yáng)電池專(zhuān)家,主要研究方向為太陽(yáng)電池器件結構設計、模擬分析及產(chǎn)業(yè)化制備技術(shù)與裝備,半導體薄膜制備技術(shù)與裝備。 沈鴻烈,南京航空航天大學(xué)教授,亞太材料科學(xué)院院士。主要從事光伏及半導體功能材料方面的研究。 Hironobu Umemoto,博士,日本北陸先端科學(xué)技術(shù)大學(xué)院大學(xué)材料學(xué)院名譽(yù)教授。 Hironobu Umemot, 博士,靜岡大學(xué)工程學(xué)院化學(xué)與生物工程系教授博士,靜岡大學(xué)工程學(xué)院化學(xué)與生物工程系教授。 Karen K. Gleason ,博士,美國麻省理工學(xué)院副教務(wù)長(cháng)。 Ruud E. I. Schropp ,博士,荷蘭埃因霍溫 Solliance 太陽(yáng)能研究公司研究員。 黃海賓,江西漢可泛半導體技術(shù)有限公司,董事長(cháng)。南昌大學(xué),教授 沈鴻烈,南京航空航天大學(xué),教授。
催化化學(xué)氣相沉積(Cat-CVD)又名熱絲化學(xué)氣相沉積,可以在襯底溫度低于300℃條件下獲得器件級的高質(zhì)量薄膜。本書(shū)系統介紹了Cat-CVD技術(shù),包括其基本原理、設備設計及應用。具體包括Cat-CVD的物理基礎及其與等離子增強化學(xué)氣相沉積的區別、Cat-CVD 中化學(xué)反應的分析方法及基本原理、Cat-CVD 的物理化學(xué)基礎、Cat-CVD制備的無(wú)機薄膜性能、引發(fā)化學(xué)氣相沉積(iCVD)合成有機聚合物、Cat-CVD設備運行中的物理基礎與技術(shù)、Cat-CVD 在太陽(yáng)電池和各種半導體器件中的應用、Cat-CVD系統中的活性基團及其應用,最后介紹了利用Cat-CVD 腔室中產(chǎn)生的活性基團,在低溫下進(jìn)行半導體摻雜。 本書(shū)可供薄膜制備相關(guān)研發(fā)和技術(shù)人員參考使用,主要涉及半導體及薄膜太陽(yáng)電池等領(lǐng)域。
第1章 引言 001 1.1 薄膜技術(shù) 001 1.2 Ca-t CVD 的誕生 003 1.3 Ca-t CVD 及相關(guān)技術(shù)的研究歷史 003 1.4 本書(shū)的結構 006 參考文獻 006 第2章 Cat-CVD的物理基礎及其與PECVD的區別 009 2.1 沉積腔室中的物理基礎 009 2.1.1 分子密度及其熱速率 009 2.1.2 平均自由程 011 2.1.3 固體表面的碰撞 014 2.1.4 腔室中基團的停留時(shí)間 016 2.2 Ca-t CVD 和PECVD 設備的差異 017 2.3 PECVD 的基本特征 018 2.3.1 PECVD 的誕生 018 2.3.2 等離子體的產(chǎn)生 018 2.3.3 直流等離子體與射頻等離子 018 2.3.4 鞘層電壓 020 2.3.5 PECVD 中分解的基團濃度 021 2.4 PECVD 技術(shù)的缺點(diǎn)及改善方法 023 2.4.1 等離子體損傷 023 2.4.2 提高PECVD 激發(fā)頻率 026 2.4.3 功率傳輸系統 026 2.4.4 大面積薄膜沉積的均勻性 027 2.5 Ca-t CVD 的技術(shù)特點(diǎn) 028 附錄2.A Si、H 原子低能量注入引起的Si、H 原子分布〈R〉和缺陷分布〈Rdefect〉的粗略計算 030 參考文獻 032 第3章 Cat-CVD中化學(xué)反應的分析方法及基本原理 034 3.1 CVD 過(guò)程中活性基團的重要性 034 3.2 活性基團檢測技術(shù) 035 3.3 單光子激光誘導熒光(LIF) 036 3.3.1 基本方法 036 3.3.2 兩態(tài)系統假設的有效性 037 3.3.3 熒光的各向異性 039 3.3.4 非輻射衰退過(guò)程的校正 039 3.3.5 光譜展寬 040 3.3.6 單光子LIF 的典型裝置和實(shí)驗結果 041 3.3.7 分子基團的轉動(dòng)和振動(dòng)態(tài)的分布 045 3.3.8 單光子LIF 中絕對濃度的估算 045 3.4 雙光子激光誘導熒光 046 3.5 單通道真空紫外(VUV)激光吸收 048 3.6 其他激光光譜技術(shù) 050 3.6.1 共振增強多光子離化 050 3.6.2 光腔衰蕩光譜 051 3.6.3 可調諧二極管激光吸收譜 c2054 3.7 質(zhì)譜測量技術(shù) 055 3.7.1 光致電離質(zhì)譜法 055 3.7.2 閾值電離質(zhì)譜法 056 3.7.3 離子附著(zhù)式質(zhì)譜分析法 056 3.8 穩定分子的氣相組成測定 056 附錄3.A 原子和分子光譜學(xué)中使用的術(shù)語(yǔ)符號 058 參考文獻 058 第4章 催化化學(xué)氣相沉積的物理化學(xué)基礎 065 4.1 Ca-t CVD 過(guò)程中的分子動(dòng)力學(xué) 065 4.1.1 Ca-t CVD 腔室中的分子 065 4.1.2 Ca-t CVD 與PECVD 氣體利用率對比 068 4.1.3 熱絲表面積的影響 068 4.2 熱絲表面發(fā)生了什么——催化反應 069 4.3 表面分解氣體過(guò)程中的熱絲中毒問(wèn)題 071 4.4 Ca-t CVD 腔室內氣體溫度分布 072 4.5 熱絲表面分解機理及氣相動(dòng)力學(xué) 073 4.5.1 雙原子分子的催化分解:H2、N2、O2 073 4.5.2 H2O 的催化分解 075 4.5.3 SiH4 和SiH4 /H2 的催化分解及后續氣相反應 075 4.5.4 NH3 的催化分解及后續氣相反應 076 4.5.5 CH4 和CH4 /H2 的催化分解及后續氣相反應 078 4.5.6 PH3 和PH3 /H2 的催化分解及后續氣相反應 078 4.5.7 B2H6 和B2H6 /H2 的催化分解及后續氣相反應 079 4.5.8 H3NBH3 的催化分解和從硼化熱絲中釋放B 原子 080 4.5.9 甲基硅烷和六甲基二硅氮烷(HMDS)的催化分解 081 4.5.10 金屬絲上各種分子催化分解總結 083 4.6 Ca-t CVD 中Si 膜的形成機理 083 參考文獻 084 第5章 Cat-CVD制備的無(wú)機薄膜性能 089 5.1 Ca-t CVD 制備非晶硅(a-Si)的性能 089 5.1.1 a-Si 基礎 089 5.1.2 Ca-t CVD 制備a-Si 基礎 097 5.1.3 Ca-t CVD 制備a-Si 的一般特性 100 5.1.4 Ca-t CVD 制備a-Si 機理——生長(cháng)模型 106 5.2 Ca-t CVD 制備多晶硅(poly-Si)和微晶硅(μc-Si)的性能 111 5.2.1 晶態(tài)硅薄膜的生長(cháng) 111 5.2.2 Ca-t CVD 制備poly-Si 薄膜的結構 114 5.2.3 Ca-t CVD 制備poly-Si 薄膜的性能 117 5.2.4 在c-Si 襯底上生長(cháng)晶硅薄膜 121 5.3 Ca-t CVD 制備SiNx 的性能 121 5.3.1 SiNx 薄膜的應用 121 5.3.2 SiNx 的制備基礎 121 5.3.3 采用NH3 和SiH4 混合氣制備SiNx 122 5.3.4 采用NH3、SiH4 和大量H2 的混合氣制備SiNx 128 5.3.5 采用NH3、SiH4 和大量H2 制備SiNx 薄膜的保形臺階覆蓋特性 130 5.3.6 采用HMDS 制備Cat-CVD SiNx 131 5.4 Ca-t CVD 制備氮氧化硅(SiOx Ny)的性能 134 5.4.1 采用SiH4、NH3、H2、N2 和O2 混合氣制備SiOx Ny 薄膜 134 5.4.2 采用HMDS、NH3、H2 和O2 混合氣制備SiOx Ny 薄膜 137 5.5 Ca-t CVD 制備SiO2 薄膜的性能 139 5.6 Ca-t CVD 制備氧化鋁(Al2O3)薄膜的性能 141 5.7 Ca-t CVD 制備AlN 薄膜的性能 143 5.8 Ca-t CVD 制備無(wú)機薄膜總結 145 參考文獻 146 第6章 引發(fā)化學(xué)氣相沉積(iCVD)合成有機聚合物 151 6.1 引言 151 6.2 iCVD 法合成聚四氟乙烯 152 6.2.1 CVD PTFE 薄膜的特性選擇及應用 154 6.2.2 催化熱絲材料對PTFE 沉積的影響 156 6.3 iCVD 的機理 158 6.3.1 引發(fā)劑和抑制劑 158 6.3.2 單體的吸附 159 6.3.3 沉積速率和分子量 160 6.3.4 共聚反應 162 6.3.5 保形性 162 6.4 iCVD 制備具有功能性、表面活性和響應性有機薄膜 164 6.4.1 聚甲基丙烯酸縮水甘油酯(PGMA):性能和應用 170 6.4.2 含全氟烴基官能團的iCVD 薄膜:性質(zhì)和應用 171 6.4.3 聚甲基丙烯酸羥乙酯(PHEMA) 及其共聚物:性質(zhì)和應用 174 6.4.4 有機硅烷和有機硅氮烷:性質(zhì)和應用 177 6.4.5 苯乙烯、4-氨基苯乙烯和二乙烯基苯的iCVD 聚合物:性質(zhì)和應用 181 6.4.6 二丙烯酸乙二醇酯(EGDA) 和二甲基丙烯酸乙二醇酯(EGDMA)的iCVD 聚合物:性質(zhì)和應用 183 6.4.7 兩性離子型聚合物和多離子型聚合物iCVD 薄膜:性質(zhì)和應用 184 6.4.8 iCVD“智慧表面”:性質(zhì)和應用 185 6.5 iCVD 界面工程:黏附與接枝 190 6.6 iCVD 合成有機薄膜的反應裝置 192 6.7 iCVD 總結和未來(lái)展望 194 參考文獻 196 第7章 Cat-CVD設備運行中的物理基礎與技術(shù) 207 7.1 Ca-t CVD 設備中氣體流量的影響 207 7.1.1 長(cháng)圓柱形腔室準層流實(shí)驗 207 7.1.2 圓柱形腔室中SiH4 的裂解概率 209 7.2 決定薄膜均勻性的因素 210 7.2.1 催化熱絲與襯底之間幾何關(guān)系的表達式 210 7.2.2 薄膜厚度均勻性估算舉例 211 7.3 催化熱絲的安裝密度極限 212 7.4 催化熱絲的熱輻射 213 7.4.1 熱輻射基礎 213 7.4.2 熱輻射條件下襯底溫度的控制 214 7.4.3 CVD 系統的熱輻射 216 7.5 催化熱絲的污染 217 7.5.1 催化熱絲材料的污染 217 7.5.2 其他雜質(zhì)污染 218 7.5.3 催化熱絲釋放雜質(zhì)的流密度 221 7.6 催化熱絲的壽命及其延長(cháng)方法 221 7.6.1 引言 221 7.6.2 鎢催化熱絲硅化物的形成 222 7.6.3 鉭催化熱絲硅化物的形成 227 7.6.4 鎢表面滲碳抑制硅化物的形成 229 7.6.5 鉭催化熱絲及延長(cháng)其壽命的方法 230 7.6.6 使用TaC 延長(cháng)壽命 230 7.6.7 使用其他鉭合金延長(cháng)壽命 231 7.6.8 鎢催化熱絲在含碳氣氛中的壽命 232 7.6.9 iCVD 中使用的長(cháng)壽命催化熱絲 234 7.7 腔室的清潔 235 7.8 產(chǎn)業(yè)化生產(chǎn)設備現狀 237 7.8.1 用于化合物半導體的Ca-t CVD 量產(chǎn)設備 237 7.8.2 用于大面積沉積的量產(chǎn)型Ca-t CVD 設備 238 7.8.3 PET 瓶涂膜用的Ca-t CVD 設備 241 7.8.4 其他產(chǎn)業(yè)化生產(chǎn)設備的原型機 242 參考文獻 242 第8章 Cat-CVD技術(shù)的應用 245 8.1 Ca-t CVD 的歷史概述:研究與應用 245 8.2 在太陽(yáng)電池中的應用 246 8.2.1 硅和硅合金薄膜太陽(yáng)電池 246 8.2.2 c-Si 太陽(yáng)電池 256 8.2.3 a-Si/c-Si 異質(zhì)結太陽(yáng)電池 259 8.3 在薄膜晶體管(TFT)中的應用 262 8.3.1 a-Si TFT 262 8.3.2 poly-Si TFT 266 8.4 在鈍化化合物半導體器件表面中的應用 268 8.4.1 GaAs 高電子遷移率晶體管(HEMT)的鈍化 268 8.4.2 甚高頻晶體管的鈍化 269 8.4.3 半導體激光器的鈍化 270 8.5 在超大規模集成電路(ULSI)工業(yè)中的應用 270 8.6 在其他器件(如有機器件)中作為阻氣膜的應用 271 8.6.1 OLED 用無(wú)機阻氣膜SiNx /SiOx Ny 271 8.6.2 無(wú)機/有機疊層阻氣膜 274 8.6.3 用于食品包裝的阻氣膜 278 8.7 其他應用和目前Ca-t CVD 應用總結 第9章 Cat-CVD系統中的活性基團及其應用 286 9.1 高濃度H 原子的產(chǎn)生和輸運 286 9.1.1 高濃度H 原子的產(chǎn)生 286 9.1.2 H 原子的輸運 288 9.2 Ca-t CVD 設備中H 原子的清潔和刻蝕應用 291 9.2.1 刻蝕c-Si 291 9.2.2 碳污染表面的清潔 292 9.3 H 原子對光刻膠的去除作用 294 9.4 H 原子對金屬氧化物的還原作用 298 9.4.1 不同金屬氧化物的還原 298 9.4.2 H 原子對金屬氧化物半導體性能的調控 299 9.5 H 原子在液態(tài)漿料低溫形成高電導金屬線(xiàn)中的應用 300 9.6 低溫表面氧化——“催化氧化” 301 9.7 低溫表面氮化——c-Si 和GaAs 的“催化氮化” 306 9.8 “催化化學(xué)濺射”:一種基于活性基團的新型薄膜沉積方法 313 參考文獻 314 第10章 催化摻雜:一種新型低溫摻雜技術(shù) 316 10.1 引言 316 10.2 催化摻雜現象的發(fā)現過(guò)程 317 10.3 c-Si 的低溫和近表面磷摻雜 318 10.3.1 近表面摻雜層的電性能測量 318 10.3.2 催化摻雜雜質(zhì)濃度分布的SIMS 表征 322 10.3.3 擴散系數的估算 326 10.3.4 催化摻雜P 原子的特性 327 10.3.5 催化摻雜的機理 330 10.4 c-Si 的低溫硼摻雜 335 10.5 a-Si 的催化摻雜 338 10.6 催化摻雜技術(shù)的應用及可行性 340 10.6.1 催化摻雜調控表面電勢實(shí)現高質(zhì)量鈍化 340 10.6.2 a-Si 的催化摻雜及其在異質(zhì)結太陽(yáng)電池中的應用 342 參考文獻 344
ISBN:978-7-122-45663-2
語(yǔ)種:漢文
開(kāi)本:16
出版時(shí)間:2024-06-01
裝幀:平
頁(yè)數:345